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务实半导体申请电子器件和电路专利，可通过原子层沉积在衬底有限部分选择性沉积材料薄膜提供电子器件部件:电子器件
国家知识产权局信息显示，务实半导体有限公司申请一项名为“电子器件和电路”的专利，公开号CN121014283A，申请日期为2024年2月电子器件。专利摘要显示，本发明公开了一种制造至少第一电子器件(
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国家知识产权局信息显示，务实半导体有限公司申请一项名为“电子器件和电路”的专利，公开号CN121014283A，申请日期为2024年2月电子器件。专利摘要显示，本发明公开了一种制造至少第一电子器件(