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扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223584622U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要
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【项目对接二】掌握多项专利技术，产品应用于人工智能、智能汽车、大数据中心！广西某地方政府实地对接LED半导体封装生产扩建项目:LED封装
正值集团“大干一百天”竞赛活动期间，集团各部门均展现出抢抓时机、推动项目加速落地的决心与效率LED封装。11月25日，在集团深圳分公司项目部总监的陪同下，广西某地方政府实地对接LED半导体封装生产扩
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