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华虹半导体（无锡）申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构的性能得到提升:半导体
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121013345A，申请日期为2025年8月半导体。专利摘要显示，一种半导体结构及其
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121013345A，申请日期为2025年8月半导体。专利摘要显示，一种半导体结构及其