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  • 振华富取得电子元器件及其烧结方法专利:电子器件

    振华富取得电子元器件及其烧结方法专利:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳振华富电子有限公司取得一项名为“电子元器件及其烧结方法”的专利,授权公告号CN117534484B,申请日期为2023年12月电子器件。天眼查资料显示,深圳振华富电子有限

    2025-12-02
  • 海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

    海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利,公开号CN121034965A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请公开了

    2025-12-02
  • 华虹半导体(无锡)申请半导体结构及其形成方法专利,半导体结构的性能得到提升:半导体

    华虹半导体(无锡)申请半导体结构及其形成方法专利,半导体结构的性能得到提升:半导体

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    国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121013345A,申请日期为2025年8月半导体。专利摘要显示,一种半导体结构及其

    2025-12-02
  • 华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利,改善器件电性能:半导体

    华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利,改善器件电性能:半导体

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    国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司、华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利,公开号CN121038280A,申请日期为2025年8月半导体。专利摘

    2025-12-02
  • 元旭半导体申请彩膜及其制备方法、显示器件及其制备方法专利,提升光色转换层与对比度提升层的连接牢固性:半导体

    元旭半导体申请彩膜及其制备方法、显示器件及其制备方法专利,提升光色转换层与对比度提升层的连接牢固性:半导体

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    国家知识产权局信息显示,元旭半导体科技(无锡)有限公司申请一项名为“一种彩膜及其制备方法、显示器件及其制备方法”的专利,公开号CN121028270A,申请日期为2025年10月半导体。专利摘要显

    2025-12-02
  • 苏州晶湛半导体取得Ⅲ族氮化物结构及其制作方法专利:半导体

    苏州晶湛半导体取得Ⅲ族氮化物结构及其制作方法专利:半导体

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    国家知识产权局信息显示,苏州晶湛半导体有限公司取得一项名为“Ⅲ族氮化物结构及其制作方法”的专利,授权公告号CN115461841B,申请日期为2020年5月半导体。天眼查资料显示,苏州晶湛半导体有

    2025-12-02
  • 龙迅半导体申请头戴显示设备及注视跟踪与交互方法专利,减轻设备体积和重量:半导体

    龙迅半导体申请头戴显示设备及注视跟踪与交互方法专利,减轻设备体积和重量:半导体

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    国家知识产权局信息显示,龙迅半导体(合肥)股份有限公司申请一项名为“头戴显示设备及头戴显示设备的注视跟踪与交互方法”的专利,公开号CN121029007A,申请日期为2025年10月半导体。专利摘

    2025-12-02
  • 博世申请电路单元、布置及减少半导体开关损耗方法专利,减少半导体开关的开关损耗:半导体

    博世申请电路单元、布置及减少半导体开关损耗方法专利,减少半导体开关的开关损耗:半导体

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    国家知识产权局信息显示,罗伯特·博世有限公司申请一项名为“电路单元、电路布置和用于减少半导体开关的开关损耗的方法”的专利,公开号CN121036751A,申请日期为2025年5月半导体。专利摘要显

    2025-12-02
  • 合肥晶合集成申请一种半导体装置及其制造方法专利,降低半导体装置的制造成本:半导体

    合肥晶合集成申请一种半导体装置及其制造方法专利,降低半导体装置的制造成本:半导体

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    国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN121038354A,申请日期为2025年10月半导体。专利摘要显示,本发明提供一种半

    2025-12-02
  • 燕东微电子取得功率半导体器件及其制备方法专利:电子器件

    燕东微电子取得功率半导体器件及其制备方法专利:电子器件

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    金融界2025年8月26日消息,国家知识产权局信息显示,北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“功率半导体器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN114141879B,申请日期为2021年12月电子器

    2025-11-17
  • 长鑫存储取得半导体器件、电子设备及制备方法专利:电子器件

    长鑫存储取得半导体器件、电子设备及制备方法专利:电子器件

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    金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件、电子设备及制备方法”的专利,授权公告号CN115915750B,申请日期为2021年08月电子器件

    2025-11-17
  • 上海林众电子申请塑封功率器件叠层步进焊接方法专利,降低塑封功率器件的变形量:电子器件

    上海林众电子申请塑封功率器件叠层步进焊接方法专利,降低塑封功率器件的变形量:电子器件

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,上海林众电子科技有限公司申请一项名为“塑封功率器件叠层步进的焊接方法”的专利,公开号CN120502804A,申请日期为2025年07月电子器件

    2025-11-17
  • 福建天电光电申请一种平面载体LED封装结构及其制作方法专利,有效改善了支撑保护性能和气密性能:LED封装

    福建天电光电申请一种平面载体LED封装结构及其制作方法专利,有效改善了支撑保护性能和气密性能:LED封装

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    金融界2025年8月23日消息,国家知识产权局信息显示,福建天电光电有限公司申请一项名为“一种平面载体LED封装结构及其制作方法”的专利,公开号CN120529718A,申请日期为2025年05月LE

    2025-11-17
  • 山西华微紫外半导体申请CSP封装LED贴片装置及方法专利,满足密集贴片的使用需求:LED封装

    山西华微紫外半导体申请CSP封装LED贴片装置及方法专利,满足密集贴片的使用需求:LED封装

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    金融界2025年8月23日消息,国家知识产权局信息显示,山西华微紫外半导体科技有限公司申请一项名为“一种CSP封装LED的贴片装置及方法”的专利,公开号CN120529577A,申请日期为2025年0

    2025-11-17
  • 广东晶科电子取得LED封装点胶装置及点胶方法专利:LED封装

    广东晶科电子取得LED封装点胶装置及点胶方法专利:LED封装

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,广东晶科电子股份有限公司取得一项名为“一种LED封装点胶装置及点胶方法”的专利,授权公告号CN117282612B,申请日期为2023年10月L

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