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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，可极大程度避免金属污染:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121011563A，申请日期为2024年5月电子器件。专
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必易微电子申请开关控制方法、电路及开关电源系统专利，通过关断功率器件来对开关电源电路进行保护:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市必易微电子股份有限公司申请一项名为“开关控制方法、开关控制电路及开关电源系统”的专利，公开号CN121036499A，申请日期为2025年9月电子器件。专利摘要显示，本
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元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利，可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“电子器件的散热装置及控制方法、电子设备”的专利，公开号CN121038110A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请提
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艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利，可应用于光电子器件:电子器件
国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“发光材料、用于制造发光材料的方法、发光材料的用途和光电子器件”的专利，公开号CN121013898A，申请日期为2024年7月电子器
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OPPO申请电子器件的功耗检测方法、装置、设备及存储介质专利，优化电子器件的功耗值:电子器件
国家知识产权局信息显示，OPPO广东移动通信有限公司申请一项名为“一种电子器件的功耗检测方法、装置、设备、存储介质”的专利，公开号CN121027649A，申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要
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兆驰光电取得LED灯珠及其封装方法、封装系统专利:LED封装
国家知识产权局信息显示，江西省兆驰光电有限公司取得一项名为“LED灯珠及其封装方法、封装系统”的专利，授权公告号CN120018648B，申请日期为2025年2月LED封装。天眼查资料显示，江
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砺芯半导体取得H型树优化方法、装置、设备及存储介质专利:半导体
国家知识产权局信息显示，深圳砺芯半导体有限责任公司取得一项名为“H型树优化方法、装置、设备及存储介质”的专利，授权公告号CN117251773B，申请日期为2023年8月半导体。天眼查资料显示，深
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山海半导体取得电池管理系统故障处理方法、AFE芯片及系统专利:半导体
国家知识产权局信息显示，合肥市山海半导体技术有限公司取得一项名为“电池管理系统故障处理方法、AFE芯片以及电池管理系统”的专利，授权公告号CN120749259B，申请日期为2025年8月半导体。
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长江存储取得图案化方法、半导体结构及存储器专利:半导体
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“图案化方法、半导体结构及存储器”的专利，授权公告号CN119230397B，申请日期为2023年6月半导体。天眼查资料显示，长江存储科
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元旭半导体申请彩膜及其制备方法、显示器件及其制备方法专利，提升光色转换层与对比度提升层的连接牢固性:半导体
国家知识产权局信息显示，元旭半导体科技（无锡）有限公司申请一项名为“一种彩膜及其制备方法、显示器件及其制备方法”的专利，公开号CN121028270A，申请日期为2025年10月半导体。专利摘要显
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粤芯半导体取得OPC修正方法、半导体设备及半导体产品专利:半导体
国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“OPC修正方法、半导体设备及半导体产品”的专利，授权公告号CN120010176B，申请日期为2025年3月半导体。天眼查资料显
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长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，降低半导体器件的比导通电阻:半导体
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121038358A，申请日期为2025年8月半导体。专利
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电子元器件封装测试方法，电子元器件封装检测机构:电子器件
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人委托除外)电子器件。因篇幅原因，CMA/CNAS/ISO证书以及未列出的项目/样品，请咨询在线工程师电子器件。检测项目1
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中微公司获得发明专利授权：“半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置”:半导体
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置”，专利申请号为CN202311028137.3，授权日
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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120512894A，申请日期为2024年07月半导体。