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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，可极大程度避免金属污染:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121011563A，申请日期为2024年5月电子器件。专
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华虹半导体（无锡）申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构的性能得到提升:半导体
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121013345A，申请日期为2025年8月半导体。专利摘要显示，一种半导体结构及其
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瑶华半导体申请半导体封装结构和半导体结构专利，导热性能优异:半导体
国家知识产权局信息显示，长沙瑶华半导体科技有限公司申请一项名为“半导体封装结构和半导体结构”的专利，公开号CN120998912A，申请日期为2025年7月半导体。专利摘要显示，本申请涉及半导体
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长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，降低半导体器件的比导通电阻:半导体
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121038358A，申请日期为2025年8月半导体。专利
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合肥盛源半导体申请半导体器件检测设备专利，对半导体器件多方位检测:半导体
国家知识产权局信息显示，合肥盛源半导体有限公司申请一项名为“半导体器件检测设备”的专利，公开号CN121026961A，申请日期为2025年7月半导体。专利摘要显示，本发明涉及检测设备技术领域，具
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索尼半导体解决方案申请半导体装置专利，提高了半导体装置的光检测特性:半导体
国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121040240A，申请日期为2024年5月半导体。专利摘要显示，本发明提高了半导体装置的光检测特性半导
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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120512894A，申请日期为2024年07月半导体。
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索尼半导体申请半导体装置专利，能够使半导体装置小型化:半导体
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN120513709A，申请日期为2024年01月半导体。专利摘要显示，本发