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  • 扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利,大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件

    扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利,大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利,授权公告号CN223584622U,申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要

    2025-12-02
  • 晶扬电子申请一种单向超低压静电保护器件专利,能够降低静电保护器件的开启电压:电子器件

    晶扬电子申请一种单向超低压静电保护器件专利,能够降低静电保护器件的开启电压:电子器件

    行业动态 # 保护器 # 申请一 # 利 # 能保护器 # 能 # 电子器件

    国家知识产权局信息显示,深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种单向超低压静电保护器件”的专利,公开号CN121013407A,申请日期为2025年6月电子器件。专利摘要显示,本发明提供了一种单

    2025-12-02
  • 旗滨电子玻璃申请素玻璃及化学强化玻璃制备方法与显示器件专利,属于玻璃技术领域:电子器件

    旗滨电子玻璃申请素玻璃及化学强化玻璃制备方法与显示器件专利,属于玻璃技术领域:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,湖南旗滨电子玻璃股份有限公司申请一项名为“素玻璃及其制备方法、化学强化玻璃及其制备方法、显示器件”的专利,公开号CN121020975A,申请日期为2025年8月电子器件。专

    2025-12-02
  • 中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,可极大程度避免金属污染:电子器件

    中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,可极大程度避免金属污染:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利,公开号CN121011563A,申请日期为2024年5月电子器件。专

    2025-12-02
  • 铂科取得电感器件及电子设备专利,提高散热效率:电子器件

    铂科取得电感器件及电子设备专利,提高散热效率:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,惠州铂科新感技术有限公司、深圳市铂科新材料股份有限公司取得一项名为“电感器件及电子设备”的专利,授权公告号CN223598514U,申请日期为2024年10月电子器件。专利摘要

    2025-12-02
  • 务实半导体申请电子器件和电路专利,可通过原子层沉积在衬底有限部分选择性沉积材料薄膜提供电子器件部件:电子器件

    务实半导体申请电子器件和电路专利,可通过原子层沉积在衬底有限部分选择性沉积材料薄膜提供电子器件部件:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,务实半导体有限公司申请一项名为“电子器件和电路”的专利,公开号CN121014283A,申请日期为2024年2月电子器件。专利摘要显示,本发明公开了一种制造至少第一电子器件(

    2025-12-02
  • 跨度科技申请电子元器件加工用倒角装置专利,确保旋转磨削辊对矩形电子元器件棱角位置的磨削倒角操作高度精准:电子器件

    跨度科技申请电子元器件加工用倒角装置专利,确保旋转磨削辊对矩形电子元器件棱角位置的磨削倒角操作高度精准:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,石家庄跨度科技有限公司申请一项名为“一种电子元器件加工用倒角装置”的专利,公开号CN121018333A,申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示,本发明公开了一种电

    2025-12-02
  • 旭昇光电取得一种电子元器件生产用清灰装置专利,可对电子元器件进行高效高质量的清灰作业:电子器件

    旭昇光电取得一种电子元器件生产用清灰装置专利,可对电子元器件进行高效高质量的清灰作业:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,惠州旭昇光电科技有限公司取得一项名为“一种电子元器件生产用清灰装置”的专利,授权公告号CN223587819U,申请日期为2024年9月电子器件。专利摘要显示,本实用新型

    2025-12-02
  • 上海北臻电子取得微电子元器件老化试验插座专利,实现电子元器件快速放入老化箱并保证检测过程中的稳定性:电子器件

    上海北臻电子取得微电子元器件老化试验插座专利,实现电子元器件快速放入老化箱并保证检测过程中的稳定性:电子器件

    行业动态 # 利 # 实 # 保证检 # 程中的利 # 程中的 # 电子器件

    国家知识产权局信息显示,上海北臻电子科技有限公司取得一项名为“一种微电子元器件老化试验插座”的专利,授权公告号CN223597715U,申请日期为2024年11月电子器件。专利摘要显示,本实用新型公

    2025-12-02
  • 华勤电子取得散热组件及电子设备专利,提升电子设备内部的电子器件的散热效率:电子器件

    华勤电子取得散热组件及电子设备专利,提升电子设备内部的电子器件的散热效率:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,南昌华勤电子科技有限公司取得一项名为“散热组件及电子设备”的专利,授权公告号CN223600233U,申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示,本申请实施例提供一种

    2025-12-02
  • 思源清能取得用于电力电子器件触发电路的取能装置专利,提升了电力电子器件触发电路的供电可靠性:电子器件

    思源清能取得用于电力电子器件触发电路的取能装置专利,提升了电力电子器件触发电路的供电可靠性:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,思源清能电气电子有限公司取得一项名为“用于电力电子器件触发电路的取能装置”的专利,授权公告号CN223583890U,申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示,本实

    2025-12-02
  • 智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

    智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利,公开号CN121001370A,申请日期为2025年7月电子器件。专

    2025-12-02
  • 海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

    海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利,公开号CN121034965A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请公开了

    2025-12-02
  • 元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利,可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件

    元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利,可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“电子器件的散热装置及控制方法、电子设备”的专利,公开号CN121038110A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请提

    2025-12-02
  • 昆山思捷特取得便于电子元器件存放的吸塑托盘专利,方便人员拿取电子元器件:电子器件

    昆山思捷特取得便于电子元器件存放的吸塑托盘专利,方便人员拿取电子元器件:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,昆山思捷特包装材料有限公司取得一项名为“便于电子元器件存放的吸塑托盘”的专利,授权公告号CN223591287U,申请日期为2025年1月电子器件。专利摘要显示,本实用新

    2025-12-02
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