国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN 121011563 A，申请日期为2024年5月电子器件。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件结构的形成方法、半导体器件结构和电子装置，该半导体器件结构包括：提供半导体结构，半导体结构包括衬底、形成在衬底上的占位结构和外延层、形成在外延层上的器件结构，对衬底进行减薄处理，直到暴露占位结构，去除占位结构，得到占位结构对应的空腔，在空腔中形成埋入式电源轨和纳米硅穿孔电子器件。本申请实施例中，埋入式电源轨BPR和纳米硅穿孔nTSV都是在半导体结构翻转、减薄，将占位结构去除后，在占位结构去除后的空腔中进行的一体式注入，可以将原来分段进行的金属材料的埋入式电源轨BPR和纳米硅穿孔nTSV近乎实现在同时进行，可以极大程度的避免金属污染。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业电子器件。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯