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旭昇光电取得一种电子元器件生产用清灰装置专利，可对电子元器件进行高效高质量的清灰作业:电子器件
国家知识产权局信息显示，惠州旭昇光电科技有限公司取得一项名为“一种电子元器件生产用清灰装置”的专利，授权公告号CN223587819U，申请日期为2024年9月电子器件。专利摘要显示，本实用新型
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振华富取得电子元器件及其烧结方法专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳振华富电子有限公司取得一项名为“电子元器件及其烧结方法”的专利，授权公告号CN117534484B，申请日期为2023年12月电子器件。天眼查资料显示，深圳振华富电子有限
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。专
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海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利，降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利，公开号CN121034965A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请公开了
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MIT团队发明可黏附神经的电子器件，解决植入器件纤维化难题:电子器件
近期，美国麻省理工学院（MIT）赵选贺教授团队开发了一种新型的生物电子设备——可在多种外周神经上长期稳定工作的无纤维化生物电子界面（ANB，adhesivenon-fibroticbioelect
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元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利，可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“电子器件的散热装置及控制方法、电子设备”的专利，公开号CN121038110A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请提
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光圣有为科技取得一种高效率深紫外LED光源专利，在现有无机封装的基础上简易实现光提取效率提升:LED封装
国家知识产权局信息显示，中山市光圣有为科技有限公司取得一项名为“一种高效率深紫外LED光源”的专利，授权公告号CN223584647U，申请日期为2025年10月LED封装。专利摘要显示，本实用
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兆驰光电取得LED灯珠及其封装方法、封装系统专利:LED封装
国家知识产权局信息显示，江西省兆驰光电有限公司取得一项名为“LED灯珠及其封装方法、封装系统”的专利，授权公告号CN120018648B，申请日期为2025年2月LED封装。天眼查资料显示，江
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无锡半导体设备企业再获数亿元资金，年内完成三轮融资:半导体
近日，研微（江苏）半导体科技有限公司（以下简称“研微半导体”）完成数亿元A轮融资，投资方包括永鑫方舟、金圆资本、合肥产投等知名投资机构半导体。该公司成立3年已有多台设备通过Fab厂验证，募集资金将用
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信创ETF（159537）涨超1.4%，半导体需求增长与国产替代引关注:半导体
12月1日，信创ETF（159537）涨超1.4%半导体。中原证券指出，半导体材料行业在AI算力、智能驾驶、数据中心等终端需求的推动下，全球半导体行业市场规模继续增长半导体。2025年9月全球半
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华泰柏瑞基金的科创半导体设备ETF（588710）主力资金流出806.2万元:半导体
12月1日，科创半导体设备ETF（588710）报收1.429元，收涨0.35%，成交金额7085.2万元半导体。主力资金（单笔成交额100万元以上）流出金额达806.2万元。科创半导体设备ET
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华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利，改善器件电性能:半导体
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038280A，申请日期为2025年8月半导体。专利摘
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长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，降低半导体器件的比导通电阻:半导体
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121038358A，申请日期为2025年8月半导体。专利
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台芯晶半导体申请基于工业通讯与智能算法的半导体湿法设备智能化控制软件专利，提升产能利用率15%-20%:半导体
国家知识产权局信息显示，江苏台芯晶半导体科技有限公司申请一项名为“基于工业通讯与智能算法的半导体湿法设备智能化控制软件”的专利，公开号CN121028711A，申请日期为2025年8月半导体。专利
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伊顿电力申请混合固态断路器专利，实现机械接触器支路等效电感大于功率半导体支路等效电感:半导体
国家知识产权局信息显示，伊顿电力设备有限公司申请一项名为“混合固态断路器”的专利，公开号CN121034869A，申请日期为2024年5月半导体。专利摘要显示，提供一种混合固态断路器，包括并联连接的